联想武汉研发基地基坑支护工程施工有序推进

时间:2016-03-09 15:18 作者:院办 点击:

  本网讯 (通讯员 刘海涛 报道)联想武汉汉研发基地项目位于武汉市关山大道、南湖大道交汇处附近。该项目建筑面积约17万平方米,地下三层,地上由2栋29层塔楼(高约137.1米)及配套商业组成,塔楼采用框架核心筒结构,裙楼采用框架结构,均采用钻孔灌注桩基础。基坑开挖深度9~15米,最深处约17.5米,基坑开口面积约21556.4㎡,基坑支护采用桩撑、双排桩、桩锚等组合方案。
  由于我公司在前期详细勘察及施工勘察超前钻时,与业主单位建立了良好的合作关系,后期基坑支护设计招投标过程中,经过与七家设计单位的激烈竞争,我公司脱颖而出获得该项目支护设计任务,在深化设计过程中又积极与业主、监理、总包等各方沟通协调,并多次组织技术咨询研讨会,解决了多项技术难点问题,目前该基坑支护工程有序推进。     
 

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图二


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图五


图六